APP 位錯(cuò)密度ρ定義為晶體單位體積內(nèi)所含位錯(cuò)線(xiàn)的總長(zhǎng)度,即V為被測(cè)量區(qū)域晶體的體積,L為該體積內(nèi)位錯(cuò)總長(zhǎng)度。單位為cm-2。實(shí)際工作中測(cè)量L和V的準(zhǔn)確值均有困難。但按體視學(xué)原理,經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單推導(dǎo),可以得到位錯(cuò)密度與位錯(cuò)交截單位面積 （本文共 346 字 ） [閱讀本文] >>
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位錯(cuò)密度ρ定義為晶體單位體積內(nèi)所含位錯(cuò)線(xiàn)的總長(zhǎng)度,即V為被測(cè)量區(qū)域晶體的體積,L為該體積內(nèi)位錯(cuò)總長(zhǎng)度。單位為cm-2。實(shí)際工作中測(cè)量L和V的準(zhǔn)確值均有困難。但按體視學(xué)原理,經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單推導(dǎo),可以得到位錯(cuò)密度與位錯(cuò)交截單位面積 （本文共 346 字 ） [閱讀本文] >>
