三、CMOS平板探測(cè)器

所屬欄目:CR、DR體位設(shè)計(jì)與臨床優(yōu)化

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complimentarymetaloxidesemi-conductor,CMOS)平板探測(cè)器也被應(yīng)用于X線(xiàn)探測(cè)器中,其工作原理是:當(dāng)X線(xiàn)穿過(guò)被照體時(shí),形成強(qiáng)弱不同的X線(xiàn)束,該X線(xiàn)束入射到探測(cè)器熒光層,產(chǎn)生與入射X線(xiàn)束相對(duì)應(yīng)的熒光。由光學(xué)系統(tǒng)將這些熒 ......(本文共 1784 字 , 2 張圖)     [閱讀本文] >>


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