三安光電股份有限公司

ont: 700 16px/24px 微軟雅黑; white-space: normal; background-position: 0% 100%; orphans: 2; letter-spacing: normal; color: rgb(0,0,0); clear: both; word-spacing: 0px; padding-top: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">企業(yè)簡介

　　三安光電有限公司，承擔著國家“863”重大課題，擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業(yè)技術中心。公司坐落于廈門國際會展中心北側，占地面積5萬平方米，是一座現(xiàn)代化花園式工廠。

　　公司主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片，化合物太陽能電池、PIN光電探測器芯片等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品性能指標居國際先進水平。公司以打造擁有獨立自主知識產(chǎn)權的民族高科技企業(yè)為已任，以創(chuàng)建國際一流企業(yè)為愿景。擁有1000級到10000級的現(xiàn)代化潔凈廠房，千余臺(套)國內(nèi)外最先進的LED外延生長和芯片制造設備，在天津三安三期擴產(chǎn)完畢之時，MOCVD總數(shù)將達到100臺以上，其規(guī)模為國內(nèi)第一名，國際前十名。已實現(xiàn)年產(chǎn)外延片65萬片，芯片200億粒的生產(chǎn)規(guī)模。

　　公司擁有由美國，臺灣、日本及國內(nèi)光電技術頂尖人才組成的高素質(zhì)專家團隊。公司已申請及獲得60多項發(fā)明專利及專有技術。公司嚴格按照國際質(zhì)量管理體系及國際環(huán)境管理體系標準進行全員、全方位、全過程的運作，并于2003年通過了ISO9001：2000質(zhì)量體系認證，2008年通過ISO14001：2004環(huán)境管理體系認證，計劃2009年通過ISO/TS16949汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關服務件質(zhì)量管理體系的審核。

　　三安光電(3張)

上市資料

　　公司名稱：三安光電股份有限公司

　　英文名稱：Sanan Optoelectronics Co.,ltd

　　證券簡稱：三安光電

　　證券代碼：600703

　　法人代表：林秀成

　　證監(jiān)會行業(yè)分類：電子

　　證券類別：上海A股

　　上市日期：1996-05-28

企業(yè)精神

　　三安光電秉持以“誠信團結、開拓創(chuàng)新、克難制勝、勇攀高峰”為企業(yè)精神，以“務實、創(chuàng)新，客戶第一，服務至上”為經(jīng)營理念。

　　作為國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程、國家人事部批準的企業(yè)博士后科研工作站,三安光電擁有世界最先進的儀器設備和高標準的生產(chǎn)環(huán)境，聚集了一批國內(nèi)、外一流的LED生產(chǎn)技術專家。擁有由美國、日本、臺灣和國內(nèi)光電技術頂尖人才組成的高素質(zhì)研發(fā)團隊，研發(fā)能力居國內(nèi)前列，到目前為止，已申請及獲得33項發(fā)明專利及專有技術。

　　三安光電堅持以質(zhì)量求生存，以創(chuàng)新謀發(fā)展，勇于開拓、不斷創(chuàng)新。產(chǎn)品更新?lián)Q代的步伐緊跟國際潮流，具有自主知識產(chǎn)權的多項技術填補了國內(nèi)空白。公司的產(chǎn)品主要有全色系超高亮度LED外延片、芯片、PIN光電探測器芯片、化合物太陽電池等。各項性能指標均名列國內(nèi)第一，國際先進水平。

　　經(jīng)過幾年來不斷的拓展與完善，三安光電已建立了成熟的市場營銷體系，營銷團隊精練實干，營銷網(wǎng)絡遍布全球，產(chǎn)品出口至多個國家和地區(qū)，受到國內(nèi)、外客戶的一致好評。銷售業(yè)績以每年平均40%的增長比率遞增。

產(chǎn)品

　　公司主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片，化合物太陽能電池、PIN光電探測器芯片等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。公司擁有由美國、臺灣、日本及國內(nèi)光電技術頂尖人才組成的高素質(zhì)專家團隊，已申請及獲得48項發(fā)明專利及專有技術，產(chǎn)品性能指標居國際先進水平。

　　超高亮度LED是新一代的節(jié)能照明產(chǎn)品，其具有高效節(jié)能、壽命長、綠色環(huán)保（高效節(jié)能：耗電量是白熾燈的1/10，熒光燈的1/2；長壽命：10萬小時；綠色環(huán)保：無輻射，不含鉛、汞等有害元素）三大優(yōu)勢廣泛應用于景觀照明、背光源、汽車燈、交通信號燈、廣告看板、室內(nèi)外全彩顯示屏等領域。

　　半導體技術孕育著一場新的產(chǎn)業(yè)革命——新型光源革命。其標志是半導體燈將逐步取代白熾燈及熒光燈。據(jù)國內(nèi)專業(yè)咨詢機構統(tǒng)計預測：2006年我國LED產(chǎn)值為140億元，隨著國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，預計到2008年我國LED應用市場規(guī)模將達到540億元，到2010年將超過1000億元。

企業(yè)文化

三安企業(yè)文化

　　三安企業(yè)文化是三安長期發(fā)展中形成的文化，是企業(yè)增長的力量源泉，是企業(yè)取得成功的土壤。只有把文化融入企業(yè)，塑造企業(yè)形象，光大企業(yè)精神，企業(yè)才有輝煌的未來。

三安精神

　　敢為人先，拼搏奉獻。

價值觀

　　以人為本、科技創(chuàng)新、追求卓越、和諧共贏

經(jīng)營理念

　　人無我有、人有我精、追求卓越、基業(yè)長青

服務宗旨

　　誠信高效、客戶第一、服務至上

質(zhì)量方針

　　品質(zhì)為先、顧客滿意、優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定、不斷提高

公司使命

　　讓地球更環(huán)保，讓人類更健康

公司愿景

　　引領“芯”潮流、奉獻新能源

企業(yè)人才觀

　　不拘一格舉人才、綜合發(fā)展育英才、聚合內(nèi)力輔良才、以人為本用賢才。

招聘口號

　　促我發(fā)展，助您成長！

培訓口號

　　您的成長取決于您的投入！

企業(yè)榮譽

　　2003年公司被國家科技部列入國家半導體照明工程龍頭企業(yè)；

　　2003年被航天航空部確認為“戰(zhàn)略合作伙伴”；

　　2004年公司技術中心被確認為省級企業(yè)技術中心；

　　2004年被推選為廈門市光電子行業(yè)協(xié)會會長單位;

　　2004年被推選為中國光電子器件協(xié)會副理事長單位；

　　2004年被推選為國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟常務理事單位等；

　　2006年被國家人事部正式批準設立博士后科研工作站，開展博士后科研工作；

　　2007年被國家發(fā)改委認定為“國家高技術產(chǎn)業(yè)示范工程”單位；

　　2008年被推選為福建省光電子行業(yè)協(xié)會會長單位；

　　2008年公司技術中心被確認為國家級企業(yè)技術中心；

　　2009年公司被認定為廈門市知識產(chǎn)權示范單位；

　　2009年公司被命名為國家級引智示范單位。

大事記

　　2011年6月“中國LED行業(yè)年度評選(2010)”評選活動由中國電子報社、中國光協(xié)LED器件分會、中國光協(xié)LED顯示應用分會等共同組織，范圍涵蓋所有LED外延、芯片、封裝器件、應用工程等產(chǎn)業(yè)領域。三安光電憑借領先的創(chuàng)新水平、雄厚的技術力量、迅猛的發(fā)展速度和2010年的良好業(yè)績，榮獲“2010中國LED行業(yè)最具成長性企業(yè)獎”。

　　2011年4月公司用于“TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片”項目榮獲2010年度廈門市科技進步獎一等獎，同時該項目產(chǎn)品“S-23ABMUP系列背光源用LED芯片”榮獲2010年度廈門市優(yōu)秀新產(chǎn)品獎一等獎。

　　為進一步加快三安光電品牌建設，提高公司影響力，受廈門市政府，廈門市貿(mào)發(fā)局，廈門市商業(yè)聯(lián)合會邀請，三安光電于10月19日至10月24日期間參加了第七屆中國-東盟博覽會。

　　2010年9月27日，2010年三安光電新產(chǎn)品推介暨新聞發(fā)布會在深圳凱賓斯基酒店成功舉行。本次推介會得到了行業(yè)內(nèi)部的廣泛關注，共有120多家客戶代表前來參加。

　　2010年1月：安徽三安光電有限公司成立。

　　2009年11月：公司“RS-B1超高亮度功率紅色發(fā)光二極管芯片”通過新產(chǎn)品專家鑒定，認定為屬國內(nèi)首創(chuàng)，產(chǎn)品主要性能達到國際水平。

　　2009年11月：我司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目榮獲廈門市科學技術獎二等獎。

　　2009年11月13日：我司功率型紅色芯片通過新產(chǎn)品鑒定。

　　2009年9月：我司榮獲TS16949：2002認證注冊。

　　2009年8月：我司承擔的“半導體照明器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被信息產(chǎn)業(yè)部列入2009年信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金重點支持項目。

　　2009年3月：我司承擔的2006年度國家發(fā)改委企業(yè)技術進步與產(chǎn)業(yè)升級專項項目“功率型半導體全色系芯片產(chǎn)業(yè)化”通過驗收。

　　2009年2月12日：我司的主要產(chǎn)品“S-RGB07全色系超高亮度LED芯片”榮獲福建省優(yōu)秀新產(chǎn)品一等獎。

　　2008年12月：天津三安光電有限公司成立。

　　2008年12月8日：我司承擔的“用于TFT-LED背光源的超高亮度LED芯片產(chǎn)業(yè)化”項目被國家發(fā)改委列入2008年第四批產(chǎn)業(yè)技術研發(fā)資金高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目計劃。

　　2008年11月：我司承擔的“液晶顯示屏背光源用超高亮度半導體紅色發(fā)光二極管（LED）芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化” 項目被信息產(chǎn)業(yè)部列入2008年信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金重點支持項目。

　　2008年10月：公司技術中心被授予“國家級企業(yè)技術中心”稱號。

　　2008年8月：榮獲ISO14001：2004環(huán)境管理體系認證證書。

　　2008年7月：公司在國內(nèi)A股成功上市。

　　2008年1月：我司被廈門市人民政府授予“廈門市2007年度十佳工業(yè)企業(yè)”榮譽稱號。

　　2007年11月：我司“S--RGB07全色系超高亮度(紅、橙、黃、藍、綠)LED芯片”產(chǎn)品通過廈門市經(jīng)發(fā)局組織的新產(chǎn)品、新技術專家鑒定，鑒定結論認定我司擁有的“襯底轉移的紅光功率型LED”產(chǎn)品為國內(nèi)首創(chuàng)，填補國內(nèi)空白。

　　2007年10月：我司被國家發(fā)改委授予“國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程”稱號。

　　2007年3月：日本學者大川和宏博士受聘為我司技術顧問。

　　2006年12月：公司承擔的“100lm/W功率型白光LED制造技術”項目被國家科技部確定為國家高技術研究發(fā)展計劃（863計劃）課題。

　　2006年11月：公司承擔的“功率型半導體全色系芯片產(chǎn)業(yè)化”項目被國家發(fā)改委列入“國家2006年信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)升級專項項目”。

　　2006年7月：公司“功率型高亮度LED芯片及倒裝技術”項目通過專家鑒定，鑒定結果為：產(chǎn)業(yè)化技術指標達到國內(nèi)領先水平。

　　2006年5月：公司被國家人事部正式批準設立博士后科研工作站，開展博士后科研工作。

　　2006年4月：公司“氮化鎵基發(fā)光二極管外延片和芯片的研制及產(chǎn)業(yè)化”項目通過專家鑒定。鑒定結果為：產(chǎn)業(yè)化規(guī)模達到國內(nèi)最大，質(zhì)量穩(wěn)定可靠，技術指標達到國內(nèi)領先。

　　2005年12月：公司“十五”國家科技攻關計劃項目“半導體照明產(chǎn)業(yè)化技術開發(fā)”重大項目全面通過國家科技部組織的專家驗收。

　　2005年11月：公司“氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及器件制備”項目被認定為廈門市高新技術成果轉化項目。

　　2005年6月：公司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化“項目被國家科技部列入2005年國家火炬計劃項目。

　　2005年3月：公司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被列入2005年福建省十大重點投資項目。

　　2004年11月：“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被國家信息產(chǎn)業(yè)部列入2005年信息產(chǎn)業(yè)基金重點支持項目。

　　2004年9月：公司榮為中國光電子器件協(xié)會副理事長單位。

　　2004年8月：公司技術中心被福建省經(jīng)濟貿(mào)易委員會授予“省級企業(yè)技術中心”稱號。

　　2004年8月：多結化合物太陽電池通過中國航空科技集團公司上?？臻g電源研究所的測試和使用，填補了國內(nèi)空白。

　　2004年2月：公司被確認為廈門市重點高新技術企業(yè)。

　　2003年10月：國家半導體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟授予公司“半導體照明工程龍頭企業(yè)”的稱號。

　　2003年10月：公司在第十四屆全國發(fā)明展覽會上，《一種制作氮化鎵發(fā)光二極管芯片N電極的方法》與《一種發(fā)光二極管外延結構》分別榮獲發(fā)明銀獎和銅獎。

　　2003年9月：公司研制出的具有我國獨立知識產(chǎn)權的LED芯片，打破了過去LED芯片全部依靠進口的歷史。

　　2003年9月：公司技術中心被授予“市級企業(yè)技術中心”稱號。

　　2003年4月：公司承擔的“氮化鎵基發(fā)光二極管外延片和器件制備”項目，被列入國家發(fā)改委2003年光電子、新型元器件專項高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程。

　　2003年2月：榮獲ISO9001：2000質(zhì)量管理體系認證證書。

　　2003年1月：公司通過全色系超高亮度LED芯片科技成果鑒定，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)全色系超高亮度發(fā)光二極管芯片的生產(chǎn)廠家。

　　2002年9月：公司第一片外延片成功問世。

　　2000年12月：公司被確認為廈門市高新技術企業(yè)。

　　三安光電40億項目投建進程

　　2013年3月15日，三安光電發(fā)布公告，決定終止公司公開增發(fā)A股股票方案。

　　公告稱，由于市場環(huán)境發(fā)生了變化，結合公司情況，經(jīng)公司與保薦機構平安證券商議，決定終止公司本次公開增發(fā)A股股票方案，并向證監(jiān)會申請撤回公司本次公開增發(fā)A股股票方案的申請文件。

　　但在公告中，三安光電并未提及此次增發(fā)方案的具體內(nèi)容，更未提及此次募資計劃投資項目。

　　中國產(chǎn)業(yè)洞察網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示2011年5月6日，三安光電公布公開增發(fā)不超過21000萬股A股的方案，募集資金總額不超過80億元（含發(fā)行費用），全部用于安徽三安光電有限公司蕪湖光電產(chǎn)業(yè)化（二期）項目和安徽三安光電有限公司LED應用產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化項目，兩項目合計總投資約為91.25億元。其中蕪湖二期為50億元。

　　3個月后，三安光電再發(fā)公告稱，根據(jù)證券監(jiān)管部門審核反饋意見，對上述增發(fā)金額下調(diào)為總額不超過63億元，擬投入蕪湖二期的募集資金也縮水至40億元盡管如此，該增發(fā)方案遲遲未有實質(zhì)性進展。

　　擴張效果尚待市場檢驗

　　較之兩年前，三安光電身處的LED上游產(chǎn)業(yè)愈發(fā)過剩，利潤式微。有業(yè)內(nèi)人士猜測，三安光電主動放棄增發(fā)募資、放緩新項目上馬的舉措，或許有這方面的考慮。

　　但王慶在采訪中否認了上述猜測，他表示市場還有很大的空間。但蕪湖二期的擱淺對公司將產(chǎn)生怎樣的影響，王慶未予正面回答，稱公司業(yè)績將在財報中體現(xiàn)。

　　根據(jù)三安光電2012年年報，公司2012年實現(xiàn)營收33.63億元，較之上年同比大增92.48%；實現(xiàn)凈利8.10億元，較之上年同比下降13.47%。另外，其主營業(yè)務LED毛利率為25.31%，同比下滑14.36%。

　　據(jù)其年報，安徽三安光電有限公司蕪湖光電產(chǎn)業(yè)化 （一期）項目（以下簡稱蕪湖一期）購置的MOCVD設備已投入生產(chǎn)，雖然獲得了一定的經(jīng)濟效益，但由于大部分設備于2012年逐步投產(chǎn)，達到滿產(chǎn)尚需一個過程，待產(chǎn)能完全釋放，規(guī)模效應充分發(fā)揮，公司業(yè)績將會逐步得到體現(xiàn)。而2013年一季度，三安光電凈利同比下降18.77%。

　　趙飛表示，三安光電在國內(nèi)LED外延片領域頗具實力，但當下產(chǎn)能過剩顯現(xiàn)，盲目擴張恐暗藏風險。

　　前述業(yè)內(nèi)人士表示，蕪湖一期逐漸釋放出來的產(chǎn)能對未來三安光電的業(yè)績貢獻將進一步增大，在嘗到甜頭之后，三安光電對蕪湖二期的渴望亦在情理之中。

領先科技

　　公司擁有由美國、臺灣、日本及國內(nèi)光電技術頂尖人才組成的高素質(zhì)專家團隊。公司已申請及獲得54項發(fā)明專利及專有技術,承擔著國家“863”重大課題，擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業(yè)技術中心。

　　1． 2003年1月通過全色系超高亮度LED芯片科技成果鑒定，鑒定結論為：項目硬件水平屬國內(nèi)一流，等同于國際當代水平、項目產(chǎn)業(yè)化水平居國內(nèi)最高水平，并接近國際先進水平、產(chǎn)品主要技術指標屬國內(nèi)領先，特別是超高亮度綠光LED外延片的研制成功及產(chǎn)業(yè)化屬填補國內(nèi)空白。被評定為國內(nèi)首家實現(xiàn)該項目產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠，；

　　2． 2003年4月公司的“氮化鎵基發(fā)光二極管外延片和器件制備項目”被國家發(fā)展改革委列入2003年光電子、新型元器件專項高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程；

　　3．2003年6月“高亮度藍光LED產(chǎn)品及應用”項目被列入信息產(chǎn)業(yè)部2003年度電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目；

　　4．2004年3月“功率型高亮度發(fā)光二極管及封裝產(chǎn)業(yè)化關鍵技術”項目被列入“十五”國家科技攻關計劃重大項目中“半導體照明產(chǎn)業(yè)化技術開發(fā)”攻關項目；

　　5．2004年11月“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被國家信息產(chǎn)業(yè)部列入2005年信息產(chǎn)業(yè)基金重點支持項目；

　　6．2006年11月我司承擔的“功率型半導體全色系芯片產(chǎn)業(yè)化”項目被國家發(fā)改委列入“國家2006年信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)升級專項項目”；

　　7．2006年12月我司承擔的“100lm/W功率型白光LED制造技術”項目被國家科技部確定為國家高新技術研究發(fā)展計劃（863計劃）課題；

　　8．2007年技術中心承擔的“用于TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片產(chǎn)業(yè)化”項目被列入國家發(fā)改委重大產(chǎn)業(yè)科技項目；

　　9．2008年“液晶顯示屏背光源用超高亮度半導體紅色發(fā)光二極管（LED）芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被信息產(chǎn)業(yè)部列入2008年重點招標項目；

　　10．2008年承擔并主導了由市科技局組織的市重大科技計劃聯(lián)合項目“高效半導體照明關鍵技術及其應用產(chǎn)業(yè)化”，攻克實現(xiàn)功率型白光發(fā)光效率達到80lm/w的產(chǎn)業(yè)化國內(nèi)最高水平。

　　11．2009年“半導體照明器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被信息產(chǎn)業(yè)部列入2009年重點招標項目。