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電子工程 共有 643 個(gè)詞條內(nèi)容

EEPROM

    EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編...[繼續(xù)閱讀]

EEPROM

RDRAM

    RDRAM(Rambus DRAM)是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同,它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí),因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式,無法保證與原有的制造工藝相兼容...[繼續(xù)閱讀]

RDRAM

SRAM

    SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。...[繼續(xù)閱讀]

SRAM

DRAM

    DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一...[繼續(xù)閱讀]

DRAM

雙極型晶體管

    由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管,50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):...[繼續(xù)閱讀]

雙極型晶體管

正向電流

    正向電流的意思是從正極流向負(fù)極的電流,簡稱正向電流。...[繼續(xù)閱讀]

正向電流

LQFP

    LQFP也就是薄型QFP(Low-profile Quad Flat Package)指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。...[繼續(xù)閱讀]

LQFP

CQFP

    CQFP是指保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽,以防止彎曲變形。...[繼續(xù)閱讀]

CQFP

射頻輻射

    射頻輻射(Radio Frequency Radiation,RFR)是非電離輻射的一部分,頻率在100kHz~300GHz的電磁輻射。又稱無線電波,包括高頻電磁場和微波,特點(diǎn)能量較小、波長較長的頻段。波長范圍1mm~...[繼續(xù)閱讀]

射頻輻射

小米手機(jī)5

    根據(jù)其透露的消息,小米5已經(jīng)在P2階段了,也就是說其第二階段工程機(jī)已經(jīng)出現(xiàn),這意味著小米手機(jī)5的設(shè)計(jì)應(yīng)該已經(jīng)基本定型。最新消息稱因?yàn)樘幚砥髂壳盁o法量產(chǎn),小米5的發(fā)布日期很...[繼續(xù)閱讀]

小米手機(jī)5