基于Au/In鍵合的靜電扭轉(zhuǎn)微鏡的設(shè)計(jì)與工藝研究

摘要： 采用Au/In鍵合技術(shù)并引入凸點(diǎn)層設(shè)計(jì)，制備了用于光通信領(lǐng)域的二維平行板式靜電扭轉(zhuǎn)微鏡陣列。相較于其他鍵合技術(shù)，Au/In鍵合實(shí)現(xiàn)了低溫鍵合并與硅通孔技術(shù)相容。此外，相對于梳齒驅(qū)動(dòng)，采用平行板電容的扭轉(zhuǎn)微鏡有助于實(shí)現(xiàn)更高的占空比，便于陣列制造。凸點(diǎn)層的設(shè)計(jì)提升了鍵合強(qiáng)度，平均鍵合強(qiáng)度達(dá)8.97 MPa。微鏡的實(shí)測結(jié)果與有限元仿真基本一致，內(nèi)、外軸分別在13.7 V和18.2 V...