鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極器件單粒子效應(yīng)與加固技術(shù)研究進(jìn)展
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 12 2023-12-20
摘要： 鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, SiGe HBT)具有高速、高增益、低噪聲、易集成等多種優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于高性能模擬與混合信號(hào)集成電路。同時(shí)，基區(qū)能帶工程帶來(lái)的優(yōu)異低溫特性以及良好的抗總劑量、抗位移損傷能力使其擁有巨大的空間極端環(huán)境應(yīng)用潛力。然而，SiGe HBT固有的器件結(jié)構(gòu)使其對(duì)... （共12頁(yè)）
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