SiGe HBT瞬時(shí)劑量率效應(yīng)實(shí)驗(yàn)及仿真研究
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 10 2024-01-11
摘要： 鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)由于其優(yōu)異的溫度和頻率特性，在航空航天等極端環(huán)境中具有良好的使用前景，其輻射效應(yīng)得到了廣泛關(guān)注。針對(duì)KT9041 SiGe HBT進(jìn)行了瞬時(shí)γ射線及脈沖激光輻照實(shí)驗(yàn)，獲得其瞬時(shí)劑量率效應(yīng)(Transient Dose Rate Effect, TDRE)響應(yīng)。... （共10頁(yè)）
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