基于保護(hù)門的納米CMOS電路抗單粒子瞬態(tài)加固技術(shù)研究
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 5 2023-12-20
摘要： 隨著器件特征尺寸的縮減，單粒子瞬態(tài)效應(yīng)(SET)成為空間輻射環(huán)境中先進(jìn)集成電路可靠性的主要威脅之一?；诒Ｗo(hù)門，提出了一種抗SET的加固單元。該加固單元不僅可以過(guò)濾組合邏輯電路傳播的SET脈沖，而且因邏輯門的電氣遮掩效應(yīng)和電氣隔離，可對(duì)SET脈沖產(chǎn)生衰減作用，進(jìn)而減弱到達(dá)時(shí)序電路的SET脈沖。在45 nm工藝節(jié)點(diǎn)下，開展了電路的隨機(jī)SET故障注入仿真分析。結(jié)果表明，與其他加固單... （共5頁(yè)）
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