回字形抗輻射環(huán)柵LDMOS建模與驗證

摘要： 介紹了一種回字形抗輻射環(huán)柵LDMOS器件。分析了該器件在版圖繪制中的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，并結(jié)合Sentaurus仿真結(jié)果，通過區(qū)域劃分和類MOS結(jié)構(gòu)擬合閾值電壓，給出了該器件的等效寬長比模型和飽和電流模型。在標準商用0.18μm BCD工藝下流片，測試結(jié)果表明，理論模型在一定柵壓范圍內(nèi)誤差可低于10%。在總劑量測試中，關(guān)態(tài)泄漏電流隨劑量增加變化較小，有一定的抗輻射加固能力。 （共6頁）