銅互連新型阻擋層材料的研究進(jìn)展

摘要： 銅互連阻擋層材料起到防止銅與介質(zhì)材料發(fā)生擴(kuò)散的重要作用。因此，阻擋層材料需要滿足高穩(wěn)定性、與銅和介質(zhì)材料良好的粘附性以及較低的電阻。自1990年代以來，氮化鉭/鉭(TaN/Ta)作為銅的阻擋層和襯墊層得到了廣泛的應(yīng)用。然而，隨著晶體管尺寸微縮，互連延時(shí)對芯片速度的影響越來越重要。由于TaN/Ta的電阻率高且無法直接電鍍銅，已經(jīng)逐漸難以滿足需求。文章綜述了銅互連阻擋層材料的最新進(jìn)... （共8頁）