U型高K介質(zhì)膜槽柵垂直場板LDMOS
微電子學(xué)
頁數(shù): 6 2024-02-20
摘要: 近年來,隨著汽車電子和電源驅(qū)動的發(fā)展,集成度較高的LDMOS作為熱門功率器件受到了關(guān)注,如何提高其擊穿電壓與降低其比導(dǎo)通電阻成為提高器件性能的關(guān)鍵。基于SOI LDMOS技術(shù),文章提出了在被4μm的高K介質(zhì)膜包圍的SiO
2溝槽中引入垂直場板的新型結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)溝槽LDMOS相比,垂直場板和高K介質(zhì)膜充分地將電勢線引導(dǎo)至溝槽中,提高了擊穿電壓。此外垂直場板與高K介質(zhì)和漂移區(qū)形成的... (共6頁)