一種溝槽-場限環(huán)復合終端結(jié)構(gòu)的設計
微電子學
頁數(shù): 5 2024-02-20
摘要: 為了改善硅功率器件擊穿電壓性能以及改善IGBT電流的流動方向,提出了一種溝槽-場限環(huán)復合終端結(jié)構(gòu)。分別在主結(jié)處引入浮空多晶硅溝槽,在場限環(huán)的左側(cè)引入帶介質(zhì)的溝槽,溝槽右側(cè)與場限環(huán)左側(cè)橫向擴展界面剛好交接。結(jié)果表明,這一結(jié)構(gòu)改善了IGBT主結(jié)電流絲分布,將一部分電流路徑改為縱向流動,改變了碰撞電離路徑,在提高主結(jié)電勢的同時也提高器件終端結(jié)構(gòu)的可靠性;帶介質(zhì)槽的場限環(huán)結(jié)構(gòu)進一步縮短... (共5頁)