一種p-GaN HEMTs柵電荷表征方法
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 5 2024-04-20
摘要： 與Si基金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)的絕緣柵結(jié)構(gòu)不同，p-GaN增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMTs)的柵極結(jié)構(gòu)為pn結(jié)，其在較大正向電壓下處于導(dǎo)通狀態(tài)，漏電導(dǎo)較大。傳統(tǒng)柵電荷測(cè)試方法假設(shè)柵極注入電流全部存儲(chǔ)為柵電荷，因此不適用于p-GaN HEMTs器件，否則會(huì)嚴(yán)重高估數(shù)值。鑒于此，基于柵電荷積累的基本過(guò)程，提出了利用動(dòng)態(tài)電容法來(lái)減小漏電流影響來(lái)提取p-... （共5頁(yè)）
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