一種支持SoC數(shù)字電路老化及壽命的評估方法

摘要： 使用Spice可靠性仿真技術(shù)和高溫穩(wěn)態(tài)壽命(HTOL)實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法，研究不同的MOSFET器件組成的環(huán)振電路在持續(xù)翻轉(zhuǎn)狀態(tài)下，不同應(yīng)力時(shí)間和應(yīng)力電壓對其壽命退化的影響。依據(jù)仿真結(jié)果和Power-Law模型建立數(shù)字電路的壽命預(yù)測理論模型。通過HTOL實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證模型的準(zhǔn)確性。結(jié)果表明，隨著時(shí)間的增加，器件的壽命退化率逐漸增加，且隨著時(shí)間的推移，壽命的變化率越來越小。隨著應(yīng)力電壓的... （共6頁）