高性能芯片物理實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵因素
中國科學(xué):信息科學(xué)
頁數(shù)： 11 2024-01-08
摘要： 影響高性能芯片的物理設(shè)計(jì)涉及多個(gè)關(guān)鍵因素,文章分析了其中主要的5個(gè)因素:標(biāo)準(zhǔn)單元庫、核心IP庫、布局布線、制造工藝、物理設(shè)計(jì)與EDA工具/Foundry的協(xié)作優(yōu)化.通過對(duì)基本情況介紹,當(dāng)前行業(yè)情況分析等,剖析了影響高性能芯片設(shè)計(jì)及制造的核心因素,對(duì)高性能芯片未來需要重點(diǎn)發(fā)展的方向提出了一些探討思路. （共11頁）
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