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背腔刻蝕型橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器制備技術(shù)研究

壓電與聲光 頁(yè)數(shù)： 4 2024-06-20
摘要： 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展，薄膜體聲波濾波器逐漸向高頻和大帶寬方向發(fā)展。該文研究了POI(LiNbO3/SiO2/Si)基片上背腔刻蝕型橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器制作工藝，通過(guò)研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蝕等工藝，確定了IDT層曝光量和背腔刻蝕等關(guān)鍵工藝參數(shù)。研制出的背腔刻蝕型橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其諧振頻率為4 565 MHz,反諧振頻率為5 035 MHz,機(jī)電耦... （共4頁(yè)）

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