高遷移率金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的研究進(jìn)展

摘要： 基于金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）的薄膜晶體管（TFT）由于較高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μ_(FE)）、極低的關(guān)斷漏電流和大面積電性均勻等特點(diǎn)，已成為助推平板顯示或柔性顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。經(jīng)過(guò)30余年的研究，非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推廣應(yīng)用。然而，為了同時(shí)滿足顯示產(chǎn)業(yè)對(duì)更高生產(chǎn)效益、更佳顯示性能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多... （共19頁(yè)）