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一種新型電光晶體半波電壓測(cè)量方法研究

儀器儀表學(xué)報(bào) 頁數(shù): 9 2024-01-03
摘要: 本文通過分析晶體電光效應(yīng)及折射率隨電場(chǎng)變化規(guī)律,建立了電光調(diào)制數(shù)學(xué)模型并提出一種新的半波電壓測(cè)量方法。該方法基于晶體兩端所加電壓幅值與系統(tǒng)輸出波形之間數(shù)學(xué)模型,通過確定輸出波形失真臨界點(diǎn)推演晶體半波電壓。為優(yōu)化系統(tǒng),分析了半波電壓附近輸出波形特性及光源、電源和時(shí)間分辨率與系統(tǒng)誤差之間的關(guān)系并提出了兩種優(yōu)化方案——時(shí)間分辨率優(yōu)化及對(duì)稱優(yōu)化。時(shí)間分辨率優(yōu)化的方式通過放大單個(gè)波形細(xì)節(jié)... (共9頁)

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