不同基底氘鈦靶性能研究

摘要： 中子發(fā)生器的靶片性能影響中子產(chǎn)額和穩(wěn)定性。為防止鈦膜和基底材料間生成合金，進(jìn)而影響靶片性能，本研究在氘鈦靶儲(chǔ)氫層與基底層之間采用了鍍金工藝，以阻止鈦膜和靶片的基底材料相互滲透，進(jìn)而影響鈦膜中鈦元素濃度，造成靶上有效氘濃度降低。經(jīng)過(guò)對(duì)比測(cè)試，鉬基底鍍金氘鈦靶的中子產(chǎn)額可達(dá)到1.61×109 s-1，在束流強(qiáng)度一定的條件下，其中子產(chǎn)額及穩(wěn)定性?xún)?yōu)于銅基底鍍金氘鈦靶和純鉬基底氘鈦靶。電...