壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對(duì)其并聯(lián)時(shí)關(guān)斷均流的影響
中國電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁數(shù)： 12 2023-02-10
摘要： 壓接型絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并聯(lián)關(guān)斷期間會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的不均流現(xiàn)象，直接影響到器件的關(guān)斷可靠性。文中重點(diǎn)研究壓接型IGBT芯片參數(shù)對(duì)其并聯(lián)時(shí)關(guān)斷均流的影響，首先，根據(jù)IGBT單芯片的關(guān)斷機(jī)理和波形，分析芯片參數(shù)對(duì)IGBT單芯片關(guān)斷各個(gè)階段內(nèi)集電極電流變化的影響規(guī)律；其次，定義多芯片并聯(lián)關(guān)斷波形中出現(xiàn)的... （共12頁）
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