壓接型IGBT器件短路失效管殼爆炸特性及防護方法

摘要： 壓接型絕緣柵雙極性晶體管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)作為現(xiàn)有柔性直流輸電設(shè)備的核心部件，在實際應(yīng)用中，由于承受高電壓、大電流的工作環(huán)境，容易發(fā)生短路過流失效，進而造成的結(jié)構(gòu)爆炸現(xiàn)象。為研究這一爆炸現(xiàn)象的破壞效應(yīng)及其防護，該文結(jié)合多組模擬模塊化多電平工況實驗，得到IGBT器件短路過流失效爆炸后外殼結(jié)構(gòu)的變形特征。結(jié)合電氣能量特性的分... （共13頁）