寬禁帶半導體器件開關振蕩研究綜述

摘要： 寬禁帶半導體器件具有高頻、高效率、高功率密度等優(yōu)點。然而，低寄生電容、低閾值電壓和快速開關等特性也使它們更容易受到開關振蕩的影響。該文綜述開關振蕩的類型、產生機理、敏感參數(shù)以及抑制方法。首先，依據(jù)波形特征將振蕩分為阻尼振蕩及自持振蕩兩類；其次，建立開關振蕩分析模型，包括器件模型和開關電路模型，依托該模型研究兩種振蕩的機理、敏感參數(shù)以及各敏感參數(shù)對振蕩特性的影響規(guī)律；再次，分析兩... （共23頁）