磁控濺射源中氬輝光放電的等離子體行為及分布特性

摘要： 通過三維粒子數(shù)值模型對(duì)現(xiàn)有磁控濺射源結(jié)構(gòu)中氬輝光放電的等離子體行為和分布特征進(jìn)行了模擬，從而得到靶材利用率和能量利用率的信息。離子軌跡、離子能量和離子入射角分布的分析結(jié)果表明，由于電勢(shì)的空間分布影響，放電電壓從260 V增加到340 V，使得轟擊離子比例從80%降低到67%。由于離子向靶材移動(dòng)和遠(yuǎn)離靶材都會(huì)得到加速，過高的放電電壓不利于提高能量利用率。另一方面，提高放電電壓有利...