等離子體增強(qiáng)原子層沉積二氧化硅對多晶硅的損傷機(jī)理及防范工藝研究

摘要： 文章通過電子束檢測（EBI）手段研究了等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD） SiO₂過程中硅烷基酰胺類前驅(qū)體副產(chǎn)物對多晶硅產(chǎn)生不可逆損傷的機(jī)理。提出用單胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作為前驅(qū)體，來減輕對多晶硅材料的損傷。在不損傷多晶硅前提下，進(jìn)一步研究化學(xué)位阻較小的單胺基前驅(qū)體二異丙胺硅烷（DIPAS）對反應(yīng)速率的影響。