基于各向異性界面的深納米尺度電磁邊界條件

摘要： 以各向異性介質(zhì)所構成的界面為基礎構建了光學參數(shù)漸變的過渡界面模型；利用積分形式麥克斯韋方程組，同時引入了6個反映過渡區(qū)域電磁場量變化情況的界面響應函數(shù)，并經(jīng)推導獲得了適用于深納米尺度的電磁邊界條件.依據(jù)麥克斯韋方程組及材料本構關系，闡明了界面響應函數(shù)的物理意義；提出了與過渡界面模型等效的突變各向異性界面模型，其界面分布著電偶極矩和磁偶極矩，并經(jīng)推導獲得了界面偶極矩的納米電磁邊界...