一種低暗計數(shù)率P-I-N結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管探測器

摘要： 基于180 nm BCD工藝制備出一種P型注入增強型P-I-N結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管（SPAD）探測器。采用P型漂移區(qū)與高壓N~+埋層之間的低摻雜濃度P型外延層作為I層深結(jié)雪崩區(qū)，提高了近紅外波段的光子探測概率（PDP）。利用低摻雜濃度的P型外延層作為虛擬保護環(huán)，防止了器件橫向擊穿，降低了暗計數(shù)率（DCR）。測試結(jié)果表明，虛擬保護環(huán)寬度（GRW）為5μm時，器件雪崩電壓為56 ... （共6頁）