不同摻雜濃度Lu摻雜GaN電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

摘要： 采用密度泛函理論下的第一性原理平面波超軟贗勢方法，計(jì)算了本征GaN和不同Lu摻雜濃度（原子數(shù)分?jǐn)?shù)）Ga_(1-x)Lu_xN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25）體系的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，研究了摻雜濃度為12.5%和18.75%時(shí)相同摻雜量下不同空間有序占位體系結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。計(jì)算結(jié)果表明：摻雜后體系晶格參數(shù)均有所增大，Lu的摻入誘導(dǎo)了淺能級(jí)雜質(zhì)，使摻雜后體系帶...