雙晶電光Q開關消光比的研究

摘要： 雙晶匹配電光Q開關能夠利用晶體的最大有效電光系數(shù)，大幅降低半波電壓，具有重要的應用價值，但其消光比易受多種因素的制約。系統(tǒng)分析了影響雙晶電光Q開關消光比的各個因素，建立了包含光學不均勻性、晶向偏離、兩晶體溫度變化、長度偏差及溫差等參數(shù)的系列相位延遲公式，由此分析計算了各因素的容差范圍。結果表明：光學不均勻性、兩晶體的長度偏差和溫差是影響消光比的關鍵因素；當僅考慮單一變量時，消光...