MOCVD生長(zhǎng)ZnO薄膜的氣相寄生反應(yīng)路徑研究
人工晶體學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 12 2024-08-01
摘要: 本文利用量子化學(xué)的密度泛函理論(DFT),研究了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)ZnO薄膜過(guò)程中二乙基鋅(DEZn)與叔丁醇(t-BuOH)體系的氣相寄生反應(yīng)機(jī)理。通過(guò)計(jì)算不同溫度下反應(yīng)路徑的Gibbs自由能變化,從熱力學(xué)角度詳細(xì)分析關(guān)鍵中間產(chǎn)物(HOZnOBu
t、H(ZnO)
2Bu
t、HZnOH)的水解及二聚物(Zn
2O
2H
4、Zn
2O
4H
4、Zn
4... (共12頁(yè))