VI族元素修飾對(duì)二維AlN電子性質(zhì)影響的第一性原理研究

摘要： 采用密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法，研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修飾對(duì)二維AlN電子性質(zhì)的影響。計(jì)算結(jié)果表明，O修飾后，二維AlN體系的能帶發(fā)生劈裂，從而轉(zhuǎn)變?yōu)榇判圆牧希籗、Se和Te修飾后，二維AlN電子態(tài)密度曲線自旋向上和自旋向下完全對(duì)稱，形成了非磁性結(jié)構(gòu)。從態(tài)密度圖可以看出，費(fèi)米能級(jí)附近的態(tài)密度主要由修飾原子的p態(tài)電子和N原子的p態(tài)電子貢獻(xiàn)，導(dǎo)帶底部逐漸向低能...