WO₃/β-Ga₂O₃異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器的高溫性能

摘要： 得益于高達4.8 eV的禁帶寬度,超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵(Ga₂O₃)在深紫外探測領(lǐng)域具有天然的優(yōu)勢.考慮到光電探測器在高溫領(lǐng)域具有十分重要的用途,本文研究了一種WO₃/β-Ga₂O₃異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器以及高溫對其探測性能的影響.利用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)制備了Ga₂O₃薄膜,并采用旋涂和磁控濺射技術(shù)分別制備了WO₃薄膜和Ti/Au歐姆電極.在... （共9頁）