MoSi₂N₄的本征點缺陷以及摻雜特性的第一性原理計算

摘要： 新興二維材料MoSi₂N₄因其卓越的半導體性能,包括出色的環(huán)境穩(wěn)定性和高載流子遷移率而受到相當多的關注.然而,半導體中的本征缺陷往往不可避免并且會顯著影響器件性能.本文使用密度泛函理論計算并分析了MoSi₂N₄中本征點缺陷的性質及其產(chǎn)生的影響.首先確認了該材料物理性質與目前實驗數(shù)據(jù)的一致性,之后通過計算12種本征缺陷的形成能,發(fā)現(xiàn)鉬替硅型反位缺陷(Mosi)在所有本征缺...