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非摻雜型Si/SiGe異質(zhì)結(jié)外延與表征

物理學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 8 2024-04-24
摘要： 以自旋為編碼單元的硅基半導(dǎo)體量子計(jì)算與傳統(tǒng)微電子工藝兼容,易拓展且可以同位素純化提高退相干時(shí)間,因而備受關(guān)注.本研究工作通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)了高質(zhì)量非摻雜型Si/SiGe異質(zhì)結(jié)并測(cè)試了二維電子氣遷移率.球差電鏡觀察到原子級(jí)尖銳界面,原子力顯微鏡表征顯示其表面均方根粗糙度僅為0.44 nm,低溫下遷移率達(dá)到20.21×10~4 cm~2·V~(–1)·s~(–1).不同柵壓下載流子...

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