InP中點(diǎn)缺陷遷移機(jī)制的第一性原理計(jì)算

摘要： 磷化銦作為重要的第二代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、電子遷移率高、光電轉(zhuǎn)換效率高、抗輻照性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),是制備航天器電子器件優(yōu)良材料之一.但空間輻射粒子在磷化銦電子器件中會(huì)產(chǎn)生點(diǎn)缺陷,導(dǎo)致其電學(xué)性能發(fā)生嚴(yán)重下降.本文采用第一性原理方法對(duì)磷化銦中點(diǎn)缺陷的穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究,并計(jì)算了最近鄰位點(diǎn)的缺陷遷移能.通過構(gòu)建不同電荷態(tài)點(diǎn)缺陷的穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)了4種穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的銦間隙和3種穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)磷間隙...