高溫高斜率效率1060 nm單模半導體激光器

摘要： 1 060 nm半導體激光器在高能激光系統(tǒng)種子源、空間激光雷達等領域具有廣泛的應用，受限于砷化鎵體系InGaAs量子阱材料大應力，在1 060 nm波段激光器外延生長缺陷密度較高，且由于目前該波段激光器結構設計普遍采用窄波導結構，腔內損耗和非輻射復合水平較高，激光器斜率效率較低，高溫特性較差。傳統(tǒng)InGaAs壓應變量子阱勢壘高度較低加劇了激光器的高溫特性劣化。文章通過優(yōu)化激光器...