全局/滾動曝光兼容高動態(tài)抗輻照CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體光電
頁數(shù): 7 2024-08-15
摘要: 針對高速目標(biāo)的高精度探測及輻射環(huán)境的應(yīng)用要求,為解決全局與滾動曝光模式兼容難度大、靈敏度和動態(tài)低、幀速不高、抗輻照水平低等問題,對CMOS圖像傳感器架構(gòu)、像素結(jié)構(gòu)、列并行高精度數(shù)字化、高速讀出、抗輻照加固等技術(shù)進(jìn)行研究?;趩芜吜胁⑿蠨DS、多模兼容的架構(gòu)方案,設(shè)計(jì)了一款7.5μm×7.5μm, 2 048×2 048可見光CMOS圖像傳感器,采用雙增益像素結(jié)構(gòu)、高幀速數(shù)字化讀...