三維拓撲絕緣體超材料光電效應仿真
半導體光電
頁數(shù): 6 2024-08-15
摘要: 提出了一種基于三維拓撲絕緣體Bi_(1.5)Sb_(0.5)Te_(1.8)Se_(1.2)的周期性方環(huán)陣列超材料結構。仿真結果表明超材料結構的表面等離子體共振強度隨陣列周期和方環(huán)內(nèi)環(huán)尺寸的減小而增大,其中,當周期為300 nm或尺寸為25 nm時,可以限制80%的電磁波在表面態(tài)上。此外,通過仿真正、斜圓偏振光入射下超材料和非超材料結構的表面電場隨偏振態(tài)的變化關系,得到了兩種結...