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激光織構(gòu)形狀間距對單晶硅摩擦磨損特性的影響

表面技術(shù) 頁數(shù): 13 2024-01-26
摘要: 目的 提高單晶硅的減摩耐磨性能。方法 利用紫外激光在單晶硅試樣表面刻蝕不同形狀,間距為0.1、0.2、0.3mm,寬度為0.2mm的織構(gòu)。基于MRTR-1摩擦磨損實驗機(jī),研究干摩擦條件下織構(gòu)參數(shù)對單晶硅摩擦學(xué)性能的影響。利用光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡(SEM)觀察單晶硅表面織構(gòu)的微觀形貌和磨痕形貌,用電子天平稱量實驗前后試樣的質(zhì)量,并計算磨損率,通過Ansys有限元軟件模擬仿真...

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