一種窄脈沖信號峰值電壓檢測電路設計

摘要： SiC MOSFET器件柵極峰值電流可以表征器件結溫,但是柵極峰值電流信號上升下降速度快、維持時間短,給峰值電壓信號檢測電路設計帶來了挑戰(zhàn)。此處提出了一種基于兩級峰值采樣保持電路的窄脈沖峰值電壓檢測電路,其具有采集精度高、保持時間長等優(yōu)點。首先介紹了峰值檢測原理以及兩級峰值檢測原理,然后給出了詳細的電路參數(shù)選型,最后,利用仿真和實驗對此處所提峰值電流檢測電路進行了驗證。結果表明... （共4頁）