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氧分壓對(duì)a-Ga2O3基日盲紫外光電探測(cè)器性能的影響研究

光電工程 頁(yè)數(shù): 10 2024-06-25
摘要: 非晶氧化鎵(a-Ga2O3)基日盲紫外光電探測(cè)器的性能與a-Ga2O3薄膜內(nèi)的氧空位有關(guān),氧空位的濃度制約著探測(cè)器的響應(yīng)度和響應(yīng)速度。為了在探測(cè)器的響應(yīng)度和響應(yīng)速度之間達(dá)到平衡,本文通過(guò)微調(diào)射頻磁控濺射過(guò)程中的氧分壓,調(diào)控薄膜內(nèi)的氧空位濃度,并在此基礎(chǔ)上成功制備金屬-半導(dǎo)體-金屬(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探測(cè)器。研究結(jié)果顯示... (共10頁(yè))

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