基于光子計(jì)數(shù)測(cè)量的GIS/GIL環(huán)氧絕緣材料表面微缺陷檢測(cè)研究
絕緣材料
頁(yè)數(shù): 6 2024-07-25
摘要: 為彌補(bǔ)傳統(tǒng)方法對(duì)環(huán)氧基絕緣微缺陷探測(cè)精度的不足,本文基于不同缺陷影響下光子釋放信息的計(jì)數(shù)分析提出了一種新的缺陷檢測(cè)方法。通過(guò)制備具有劃痕、表面毛刺及金屬微粒缺陷的絕緣拉桿及盆式絕緣子樣本,進(jìn)而在交流電壓激勵(lì)下獲得上述樣本局放起始前的光子計(jì)數(shù)結(jié)果。結(jié)果表明:嚴(yán)重缺陷樣本平均光子計(jì)數(shù)可高達(dá)無(wú)缺陷樣本平均光子計(jì)數(shù)的12倍以上,且光子計(jì)數(shù)結(jié)果受缺陷種類(lèi)、尺寸、位置及絕緣氣體影響顯著,其...