TRISO顆粒SiC層輻照行為與力學性能的分子動力學模擬

摘要： 碳化硅(SiC)材料對TRISO顆粒的安全性能有重要影響，因此有必要對SiC層的輻照行為和力學性能進行研究。本文采用分子動力學模擬對等軸狀多晶和長軸狀多晶兩類SiC層進行輻照行為模擬，計算發(fā)現(xiàn)，SiC層的輻照腫脹程度和力學性能的理論值與實驗值吻合較好。通過腫脹程度、密度、原子結(jié)構(gòu)類型、點缺陷演化等參量詳細考察了SiC層的輻照行為。結(jié)果表明，輻照過程中的非晶化存在晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為中... （共12頁）