1957年由J.Bardeen,L.N.Cooper和J.R.Schrieffer提出的關(guān)于超導(dǎo)現(xiàn)象的微觀理論(以三人第一字母組合命名)?；境霭l(fā)點(diǎn)是晶體中電子之間的交互作用:一個(gè)在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子會(huì)通過庫侖引力而吸引晶格中的正離子,引起晶格發(fā)生微小的彈性形...[繼續(xù)閱讀]

    由Drude在20世紀(jì)初葉首次提出的金屬模型和理論。基本觀點(diǎn)是:①金屬是由位置固定的金屬正離子和在其間游動(dòng)的電子所組成。②游動(dòng)電子就是晶體中各組成原子的價(jià)電子,它們形成“電子氣”,滲透在金屬正離子之間的全部空間。電子...[繼續(xù)閱讀]

    又稱波矢空間。描述微觀粒子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的空間。由于微觀粒子具有二象性,即既有微粒性,又有波動(dòng)性,故按波動(dòng)性描述粒子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)需要指出波的傳播方向和波長λ,為此便引入了波矢k,k的方向就是波的傳播方向,k的模則定義為單位長...[繼續(xù)閱讀]

    由電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體。半導(dǎo)體中摻入了高價(jià)雜質(zhì),例如,在四價(jià)的硅或鍺中摻入五價(jià)的雜質(zhì)磷、砷或銻后便形成n型半導(dǎo)體。其導(dǎo)電機(jī)制如下:一個(gè)雜質(zhì)磷原子取代晶格中的硅原子后,它的四個(gè)價(jià)電子就和最近鄰的四個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵...[繼續(xù)閱讀]

    一塊半導(dǎo)體內(nèi)部p型區(qū)與n型區(qū)分界面形成區(qū)域。如果在高純的Si或Ge半導(dǎo)體片的兩側(cè)分別摻入五價(jià)的雜質(zhì)(如P、As)和三價(jià)的雜質(zhì)(如Ga、In),那么就得到一側(cè)是n型半導(dǎo)體,另一側(cè)是p型半導(dǎo)體的材料,n型和p型的界面就形成p-n結(jié)(如圖)。在剛形...[繼續(xù)閱讀]

    空穴導(dǎo)電半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體中摻入了低價(jià)雜質(zhì)。例如在四價(jià)的硅或鍺中摻入了三價(jià)的雜質(zhì)鋁、鎵或銦后便形成p型半導(dǎo)體。其導(dǎo)電機(jī)制如下:一個(gè)三價(jià)的雜質(zhì)Al原子取代晶格中的Si原子后,為了能和最鄰近的四個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵,必須從...[繼續(xù)閱讀]

    表示固體中應(yīng)力和應(yīng)變關(guān)系的方程。例如,對(duì)于各向同性固體的彈性變形,存在以下線性本構(gòu)方程:εx＝σx/E-v(σy+σz)/E,εy＝σy/E-v(σz+σx)/E,εz＝σz/E-v(σx+σy)/E,γxy=τxy/G,γyz＝τyz/G,γzx＝τzx/G。式中εx、εy、εz分別是固體沿x、y、z軸方向的...[繼續(xù)閱讀]

    不含雜質(zhì)的高純半導(dǎo)體。由于半導(dǎo)體中共價(jià)鍵并不很強(qiáng),在一定溫度下,個(gè)別共價(jià)電子可能獲得額外的能量而脫離其所屬原子,成為傳導(dǎo)電子而進(jìn)入晶格中,而在原來的共價(jià)鍵處則出現(xiàn)一個(gè)電子空穴。顯然傳導(dǎo)電子的數(shù)量必然等于空穴的...[繼續(xù)閱讀]

    特定成分的物質(zhì)在特定壓強(qiáng)下的狀態(tài)。標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(或標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的壓強(qiáng)和成分)是人為規(guī)定的。在熱力學(xué)中規(guī)定:對(duì)理想氣體,規(guī)定壓強(qiáng)P=101.32KPa(1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓)的狀態(tài)為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)。對(duì)混合實(shí)際氣體,規(guī)定第i種氣體的逸度fi0＝101.32KPa的狀態(tài)為第...[繼續(xù)閱讀]

    磁感應(yīng)B和磁場H的封閉關(guān)系曲線。由于滯后現(xiàn)象(即磁感應(yīng)B的變化滯后于磁場H的變化的現(xiàn)象)的存在,當(dāng)磁場連續(xù)反向變化時(shí),磁感應(yīng)B和磁場H的關(guān)系曲線是一條封閉曲線。(詳見磁性材料)。...[繼續(xù)閱讀]