金屬晶體中總是存在有位錯(cuò)。從晶體的完整性和理論強(qiáng)度計(jì)算都表明,提高強(qiáng)度的途徑是消除晶體中的位錯(cuò),最新研究也表明無(wú)位錯(cuò)單晶體的壓縮強(qiáng)度可達(dá)到超高值[21,22]。但與之相反,金屬晶體缺陷理論又提出,位錯(cuò)缺陷密度增加也可以 (共 715 字) [閱讀本文] >>
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 金屬晶體中總是存在有位錯(cuò)。從晶體的完整性和理論強(qiáng)度計(jì)算都表明,提高強(qiáng)度的途徑是消除晶體中的位錯(cuò),最新研究也表明無(wú)位錯(cuò)單晶體的壓縮強(qiáng)度可達(dá)到超高值[21,22]。但與之相反,金屬晶體缺陷理論又提出,位錯(cuò)缺陷密度增加也可以 (共 715 字) [閱讀本文] >>