位錯(cuò)在晶體中呈連續(xù)的線狀分布,稱為線缺陷。它表征在晶體中,有一列或數(shù)列原子發(fā)生了有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。位錯(cuò)的多少用位錯(cuò)密度ρc來(lái)表示:式中:L為晶體內(nèi)所含的位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度(cm);V為晶體的體積(cm3)。經(jīng)過(guò)充分退火的金屬晶體中 (共 753 字) [閱讀本文] >>
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 位錯(cuò)在晶體中呈連續(xù)的線狀分布,稱為線缺陷。它表征在晶體中,有一列或數(shù)列原子發(fā)生了有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。位錯(cuò)的多少用位錯(cuò)密度ρc來(lái)表示:式中:L為晶體內(nèi)所含的位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度(cm);V為晶體的體積(cm3)。經(jīng)過(guò)充分退火的金屬晶體中 (共 753 字) [閱讀本文] >>