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Micro LED技術(shù)

Micro LED技術(shù),即LED微縮化和矩陣化技術(shù)。指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列,如LED顯示屏每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮,可看成是戶外LED顯示屏的微縮版,將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。

    而Micro LED display,則是底層用正常的CMOS集成電路制造工藝制成LED顯示驅(qū)動(dòng)電路,然后再用MOCVD機(jī)在集成電路上制作LED陣列,從而實(shí)現(xiàn)了微型顯示屏,也就是所說(shuō)的LED顯示屏的縮小版。

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凸顯的優(yōu)勢(shì)

Micro LED優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)的很明顯,它繼承了無(wú)機(jī)LED的高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn),并且具自發(fā)光無(wú)需背光源的特性,更具節(jié)能、機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)易、體積小、薄型等優(yōu)勢(shì)。

除此之外,Micro LED還有一大特性就是解析度超高。因?yàn)槌⑿?,表現(xiàn)的解析度特別高;據(jù)說(shuō),如若蘋果iPhone6S采用micro LED,解析度可輕松達(dá)1500ppi以上,比原來(lái)的Retina顯示的400PPi要高出3.75倍

而相比OLED,其色彩更容易準(zhǔn)確的調(diào)試,有更長(zhǎng)的發(fā)光壽命和更高的亮度以及具有較佳的材料穩(wěn)定性、壽命長(zhǎng)、無(wú)影像烙印等優(yōu)點(diǎn)。故為OLED之后另一具輕薄及省電優(yōu)勢(shì)的顯示技術(shù),其與OLED共通性在于亦需以TFT背板驅(qū)動(dòng),所以TFT技術(shù)等級(jí)為IGZO、LTPS、Oxide。

存在的劣勢(shì)

1、成本及大面積應(yīng)用的劣勢(shì)。依賴于單晶硅襯底做驅(qū)動(dòng)電路,并且從此前蘋果公布的專利上來(lái)看,有著從藍(lán)寶石襯底轉(zhuǎn)移LED到硅襯底上的步驟,也就意味著制作一塊屏幕至少需要兩套襯底和互相獨(dú)立的工藝。這會(huì)導(dǎo)致成本的上升,尤其是較大面積應(yīng)用時(shí),會(huì)面臨良率和成本會(huì)有巨大的挑戰(zhàn)。(對(duì)于單晶硅襯底,一兩寸已經(jīng)是很大的面積了,參照全幅和更大的中劃幅CMOS感應(yīng)器產(chǎn)品的價(jià)格)當(dāng)然從技術(shù)角度來(lái)說(shuō)LuxVue將驅(qū)動(dòng)電路襯底轉(zhuǎn)換為石英或者玻璃來(lái)降低大面積應(yīng)用成本是可行的,但這也需要時(shí)間。相比于AMOLED成熟的LTPS+OLED方案,成本沒有優(yōu)勢(shì)。

2、發(fā)光效率優(yōu)勢(shì)被PHOLED威脅甚至反超。磷光OLED(Phosphorescent OLED,PHOLED)效率的提升有目共睹,UDC公司的紅綠PHOLED材料也都已經(jīng)在三星GalaxyS4及后繼機(jī)型的面板上開始商用,面板功耗已經(jīng)和高PPI的TFT-LCD打平或略有優(yōu)勢(shì)。一旦藍(lán)光PHOLED材料的壽命問題解決并商用,無(wú)機(jī)LED在效率上也將占不到便宜。

3、亮度和壽命被QLED威脅。QLED研究現(xiàn)在很熱,從QD Vision公司提供的數(shù)據(jù)來(lái)看無(wú)論效率和壽命都非常有前景,而從事這塊研究的大公司也很多。當(dāng)然QLED也是OLED的強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

4、難以做成卷曲和柔性顯示。OLED和QLED的柔性顯示前景很好,也已經(jīng)有不少的Prototype展示,但對(duì)于LuxVue來(lái)說(shuō)做成卷曲和柔性都顯得比較困難。如果要制造iWatch之類的產(chǎn)品,屏幕沒有一定的曲率是比較不符合審美的。

現(xiàn)狀

說(shuō)起micro LED的發(fā)展現(xiàn)狀,正如Nouvoyance現(xiàn)任CEO也是三星OLED面板中P排列像素創(chuàng)始人CandiceBrown-Elliott所說(shuō),在蘋果收購(gòu)LuxVue之前只有很少人知道和從事該領(lǐng)域,而現(xiàn)在已經(jīng)有很多人開始討論這項(xiàng)技術(shù)。

而兩位Micro-LED技術(shù)的專家在去年也曾表示,該技術(shù)水平還很難應(yīng)用生產(chǎn)各種實(shí)用的屏幕面板,近期不大可能在iPhone、iPad或者iMac產(chǎn)品中看到這項(xiàng)屏幕技術(shù)。但對(duì)于較小的顯示屏,Micro-LED仍是一個(gè)可行的選擇,像Apple Watch等小型屏的應(yīng)用。

其實(shí)自LuxVue被蘋果收入之后,有看到VerLASE公司宣布獲取突破性的色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)專利,這種技術(shù)能夠讓全彩MicroLED陣列適用于近眼顯示器,之后一直沒有相關(guān)報(bào)道。最近,LEDinside從最近臺(tái)灣固態(tài)照明研討會(huì)得到消息,Leti、德州大學(xué)(Texas Tech University)和PlayNitride皆在研討會(huì)上展現(xiàn)自己的microLED研發(fā)成果。

Leti推出了iLED matrix,其藍(lán)光EQE9.5%,亮度可達(dá)107Cd/m2;綠光EQE5.9%,亮度可達(dá)108Cd/m2,采用量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)全彩顯示,Pitch只有10um,未來(lái)目標(biāo)做到1um。Leti近程計(jì)劃從smart lighting切入,中程2-3年進(jìn)入HUD和HMD市場(chǎng),搶搭VR/AR熱,遠(yuǎn)程目標(biāo)是10年內(nèi)切入大尺寸display應(yīng)用。

而臺(tái)灣Play Nitride公布的同樣以氮化鎵為基礎(chǔ)的PixeLEDTM display技術(shù),公司目前透過(guò)移轉(zhuǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)移至面板,轉(zhuǎn)移良率可達(dá)99%!

由此可見,Micro LED技術(shù)已經(jīng)有很多企業(yè)在跟進(jìn),發(fā)展速度也在加快。但就蘋果本身來(lái)看,該技術(shù)屬蘋果實(shí)驗(yàn)室階段技術(shù),且蘋果本身也押寶了許多新興產(chǎn)業(yè),故未來(lái)是否導(dǎo)入量產(chǎn)仍有待觀察。

發(fā)展的瓶頸

其實(shí)Micro LED的核心技術(shù)是納米級(jí)LED的轉(zhuǎn)運(yùn),而不是制作LED這個(gè)技術(shù)本身。由于晶格匹配的原因,LED微器件必須先在藍(lán)寶石類的基板上通過(guò)分子束外延的生長(zhǎng)出來(lái)。而做成顯示器,必須要把LED發(fā)光微器件轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的藍(lán)寶石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸,而制作顯示器則是尺寸大得多的玻璃基板,因此必然需要進(jìn)行多次轉(zhuǎn)運(yùn)。

對(duì)于微器件的多次轉(zhuǎn)運(yùn)技術(shù)難度都是特別高,而用在追求高精度顯示器的產(chǎn)品上難度就更大。通過(guò)此前蘋果收購(gòu)Luxvue后公布的獲取專利名單也以看出,大多都是采用電學(xué)方式完成轉(zhuǎn)運(yùn)過(guò)程,所以說(shuō)這才是Luxvue的關(guān)鍵核心技術(shù)

Micro LED成功關(guān)鍵有二:一是蘋果、三星這些品牌廠的意愿;二是晶片搬動(dòng)技術(shù),一次搬運(yùn)數(shù)百萬(wàn)顆超小LED晶片,有門檻要克服。

其實(shí),Micro LED還面臨第三個(gè)問題,即全彩化、良率、發(fā)光波長(zhǎng)一致性問題。單色Micro LED陣列通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動(dòng)IC貼合就可以實(shí)現(xiàn),但RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的晶粒,需要嵌入幾十萬(wàn)顆LED晶粒,對(duì)于LED晶粒光效、波長(zhǎng)的一致性、良率要求更高,同時(shí)分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。


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