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半導體中的隧道效應
物理學

半導體中的隧道效應圖片（共2張） :
半導體中的隧道效應

        隧道效應──微觀粒子能透入按經(jīng)典力學規(guī)律它不可能進入的勢壘區(qū)，是反映微觀粒子的波動性的一種基本效應。可以把半導體（或絕緣體）中的電子遷移現(xiàn)象理解為在外電場下，束縛在一個原子中的電子，通過隧道穿透勢壘，到    （本文共 1051 字 , 2 張圖 ）     [閱讀本文] >>

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